Aprendendo ENGENHARIA DE REDES
Para elevar o rendimento dos dispositivos móveis no quesito memória, fabricantes japoneses e americanos de semicondutores se juntaram para padronizar chips de armazenamento magnético MRAM em substituição aos atuais dinâmicos DRAM. A troca de uma geração pela outra deve oferecer até 10 vezes mais velocidade e capacidade, segundo a agência Efe.
Cerca de 20 empresas participam do projeto, que une Hitachi, Renesas Electronics e Tokyo Electron, pelo lado japonês, e Micron Technology, o segundo maior produtor de chips DRAM do mundo, por parte dos Estados Unidos. Especialistas dos dois países vão se reunir na universidade japonesa de Tohoku, onde trabalharão para desenvolver os novos modelos a partir de fevereiro.
Em desenvolvimento desde os anos 90, as memórias MRAM ainda têm fraca comercialização. A expectativa é que o acordo bilateral impulsione sua produção em massa até 2018 para tornar celulares e tablets mais potentes.
Mas afinal de contas qual a diferença entre DRAM e MRAM? A memória magnética é um pouco menos densa e mais cara do que a memória dinâmica, mas também se mostra mais resistente e duradoura. Além disso, ela também apresenta uma maior velocidade de leitura e maior economia de energia do que sua contrapartida.
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